+86-15869849588
  • image of Matrices FET, MOSFET>SQJB46ELP-T1_GE3
  • image of Matrices FET, MOSFET>SQJB46ELP-T1_GE3
  • image of Matrices FET, MOSFET>SQJB46ELP-T1_GE3
  • image of Matrices FET, MOSFET>SQJB46ELP-T1_GE3
SQJB46ELP-T1_GE3
MOSFET 2N-CH 40V 30A PPAK SO8
SQJB46ELP-T1_GE3
Matrices FET, MOSFET
Vishay / Siliconix
MOSFET 2N-CH 40
-
Bande et bobine (TR)
7230
1
: $1.1700
: 7230

1

$1.1700

$1.1700

10

$0.9600

$9.6000

100

$0.7400

$74.0000

500

$0.6300

$315.0000

1000

$0.5100

$510.0000

3000

$0.4800

$1,440.0000

6000

$0.4600

$2,760.0000

9000

$0.4400

$3,960.0000

image of Matrices FET, MOSFET>SQJB46ELP-T1_GE3
image of Matrices FET, MOSFET>SQJB46ELP-T1_GE3
image of Matrices FET, MOSFET>SQJB46ELP-T1_GE3
SQJB46ELP-T1_GE3
-
Vishay / Siliconix
MOSFET 2N-CH 40
-
Bande et bobine (TR)
7230
YES
Paramètres du produit
PDF(1)
TAPERDESCRIPTION
FabricantVishay / Siliconix
SérieTrenchFET®
EmballerBande et bobine (TR)
État du produitACTIVE
Colis/CaissePowerPAK® SO-8 Dual
Type de montageSurface Mount
Configuration2 N-Channel
Température de fonctionnement-55°C ~ 175°C (TJ)
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Puissance - Max34W (Tc)
Tension drain-source (Vdss)40V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C30A (Tc)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds2100pF @ 25V
Rds activé (Max) @ Id, Vgs8mOhm @ 8A, 10V
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs40nC @ 10V
Vgs(e) (Max) @ Id2.2V @ 250µA
Package d'appareil du fournisseurPowerPAK® SO-8 Dual
GradeAutomotive
QualificationAEC-Q101
captcha

+86-15869849588
0