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SQJQ900E-T1_GE3
MOSFET 2N-CH 40V 100A PPAK8X8
SQJQ900E-T1_GE3
Matrices FET, MOSFET
Vishay / Siliconix
MOSFET 2N-CH 40
-
Bande et bobine (TR)
6500
1
: $1.1600
: 6500

2000

$1.1600

$2,320.0000

6000

$1.1200

$6,720.0000

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SQJQ900E-T1_GE3
-
Vishay / Siliconix
MOSFET 2N-CH 40
-
Bande et bobine (TR)
6500
YES
Paramètres du produit
PDF(1)
TAPERDESCRIPTION
FabricantVishay / Siliconix
SérieTrenchFET®
EmballerBande et bobine (TR)
État du produitACTIVE
Colis/CaissePowerPAK® 8 x 8 Dual
Type de montageSurface Mount
Configuration2 N-Channel (Dual)
Température de fonctionnement-55°C ~ 175°C (TJ)
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Puissance - Max75W
Tension drain-source (Vdss)40V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C100A (Tc)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds5900pF @ 20V
Rds activé (Max) @ Id, Vgs3.9mOhm @ 20A, 10V
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs120nC @ 10V
Vgs(e) (Max) @ Id2.5V @ 250µA
Package d'appareil du fournisseurPowerPAK® 8 x 8 Dual
GradeAutomotive
QualificationAEC-Q101
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