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$6,750.0000
| TAPER | DESCRIPTION |
| Fabricant | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
| Série | U-MOSIII |
| Emballer | Bande et bobine (TR) |
| État du produit | ACTIVE |
| Colis/Caisse | 6-SMD, Flat Leads |
| Type de montage | Surface Mount |
| Configuration | 2 N-Channel (Dual) |
| Température de fonctionnement | 150°C |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Puissance - Max | 500mW (Ta) |
| Tension drain-source (Vdss) | 30V |
| Courant - Drain continu (Id) à 25°C | 500mA (Ta) |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 245pF @ 10V |
| Rds activé (Max) @ Id, Vgs | 145mOhm @ 500mA, 4.5V |
| Vgs(e) (Max) @ Id | 1.1V @ 100µA |
| Package d'appareil du fournisseur | UF6 |
