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SSM6N48FU,LF
MOSFET 2N-CH 30V 0.1A US6
SSM6N48FU,LF
Matrices FET, MOSFET
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
MOSFET 2N-CH 30
-
Bande et bobine (TR)
9250
1
: $0.4300
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1

$0.4300

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$7,500.0000

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SSM6N48FU,LF
-
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
MOSFET 2N-CH 30
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Bande et bobine (TR)
9250
YES
Paramètres du produit
PDF(1)
TAPERDESCRIPTION
FabricantToshiba Electronic Devices and Storage Corporation
SérieU-MOSIII
EmballerBande et bobine (TR)
État du produitACTIVE
Colis/Caisse6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Type de montageSurface Mount
Configuration2 N-Channel (Dual)
Température de fonctionnement150°C
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Puissance - Max300mW
Tension drain-source (Vdss)30V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C100mA (Ta)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds15.1pF @ 3V
Rds activé (Max) @ Id, Vgs3.2Ohm @ 10mA, 4V
Vgs(e) (Max) @ Id1.5V @ 100µA
Package d'appareil du fournisseurUS6
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