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TO252MDD4N65DS
MOSFET TO-252 N 650V 4A
TO252MDD4N65DS
FET simples, MOSFET
NextGen Components
MOSFET TO-252 N
-
Bande et bobine (TR)
19000
1
: $0.7200
: 19000

2500

$0.7200

$1,800.0000

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TO252MDD4N65DS
-
NextGen Components
MOSFET TO-252 N
-
Bande et bobine (TR)
19000
YES
Paramètres du produit
PDF(1)
TAPERDESCRIPTION
FabricantNextGen Components
SérieTO-252
EmballerBande et bobine (TR)
État du produitACTIVE
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Type FETN-Channel
Courant - Drain continu (Id) à 25°C4A (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs2.8Ohm @ 2A, 10V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)10V
Vgs (Max)±30V
Tension drain-source (Vdss)650 V
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs12 nC @ 10 V
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