+86-15869849588
  • image of FET simples, MOSFET>TP44400SG
  • image of FET simples, MOSFET>TP44400SG
TP44400SG
GAN FET HEMT 650V .36OHM 22QFN
TP44400SG
FET simples, MOSFET
Tagore Technology
GAN FET HEMT 65
-
Bande et bobine (TR)
9460
: $2.1300
: 9460

1

$2.1300

$2.1300

10

$1.8400

$18.4000

100

$1.5900

$159.0000

500

$1.2800

$640.0000

3000

$1.2800

$3,840.0000

image of FET simples, MOSFET>TP44400SG
image of FET simples, MOSFET>TP44400SG
TP44400SG
-
Tagore Technology
GAN FET HEMT 65
-
Bande et bobine (TR)
9460
NO
Paramètres du produit
PDF(1)
TAPERDESCRIPTION
FabricantTagore Technology
Série-
EmballerBande et bobine (TR)
État du produitACTIVE
Colis/Caisse22-PowerVFQFN
Type de montageSurface Mount
Température de fonctionnement-55°C ~ 150°C (TJ)
TechnologieGaNFET (Gallium Nitride)
Type FETN-Channel
Courant - Drain continu (Id) à 25°C6.5A (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs360mOhm @ 500mA, 6V
Vgs(e) (Max) @ Id2.5V @ 2.8mA
Package d'appareil du fournisseur22-QFN (5x7)
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)0V, 6V
Vgs (Max)±20V
Tension drain-source (Vdss)650 V
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs0.75 nC @ 6 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds28 pF @ 400 V
captcha

+86-15869849588
0