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TP65H035G4QS
650 V 46.5 A GAN FET HIGH VOLTAG
TP65H035G4QS
FET simples, MOSFET
Transphorm
650 V 46.5 A GA
-
Bande et bobine (TR)
6500
1
: $17.6000
: 6500

1

$17.6000

$17.6000

10

$15.5100

$155.1000

100

$13.4100

$1,341.0000

500

$12.1600

$6,080.0000

2000

$10.3800

$20,760.0000

image of FET simples, MOSFET>TP65H035G4QS
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TP65H035G4QS
-
Transphorm
650 V 46.5 A GA
-
Bande et bobine (TR)
6500
YES
Paramètres du produit
TAPERDESCRIPTION
FabricantTransphorm
SérieSuperGaN®
EmballerBande et bobine (TR)
État du produitACTIVE
Colis/Caisse8-PowerSFN
Type de montageSurface Mount
Température de fonctionnement-55°C ~ 150°C (TJ)
TechnologieGaNFET (Gallium Nitride)
Type FETN-Channel
Courant - Drain continu (Id) à 25°C46.5A (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs41mOhm @ 30A, 10V
Dissipation de puissance (maximum)156W (Tc)
Vgs(e) (Max) @ Id4.8V @ 1mA
Package d'appareil du fournisseurTOLL
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)10V
Vgs (Max)±20V
Tension drain-source (Vdss)650 V
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs22 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds1500 pF @ 400 V
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