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TP65H035WS
GANFET N-CH 650V 46.5A TO247-3
TP65H035WS
FET simples, MOSFET
Transphorm
GANFET N-CH 650
-
Tube
6802
1
: $12.8100
: 6802

1

$14.0500

$14.0500

30

$12.8100

$384.3000

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TP65H035WS
-
Transphorm
GANFET N-CH 650
-
Tube
6802
YES
Paramètres du produit
PDF(1)
TAPERDESCRIPTION
FabricantTransphorm
Série-
EmballerTube
État du produitACTIVE
Colis/CaisseTO-247-3
Type de montageThrough Hole
Température de fonctionnement-55°C ~ 150°C (TJ)
TechnologieGaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
Type FETN-Channel
Courant - Drain continu (Id) à 25°C46.5A (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs41mOhm @ 30A, 10V
Dissipation de puissance (maximum)156W (Tc)
Vgs(e) (Max) @ Id4.8V @ 1mA
Package d'appareil du fournisseurTO-247-3
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)12V
Vgs (Max)±20V
Tension drain-source (Vdss)650 V
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs36 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds1500 pF @ 400 V
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