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TP65H050G4BS
650 V 34 A GAN FET
TP65H050G4BS
FET simples, MOSFET
Transphorm
650 V 34 A GAN
-
Tube
6693
1
: $10.1500
: 6693

1

$12.5400

$12.5400

50

$10.1500

$507.5000

100

$9.5500

$955.0000

500

$8.6600

$4,330.0000

1000

$7.9400

$7,940.0000

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TP65H050G4BS
-
Transphorm
650 V 34 A GAN
-
Tube
6693
YES
Paramètres du produit
PDF(1)
TAPERDESCRIPTION
FabricantTransphorm
SérieSuperGaN®
EmballerTube
État du produitACTIVE
Colis/CaisseTO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Type de montageSurface Mount
Température de fonctionnement-55°C ~ 150°C (TJ)
TechnologieGaNFET (Gallium Nitride)
Type FETN-Channel
Courant - Drain continu (Id) à 25°C34A (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs60mOhm @ 22A, 10V
Dissipation de puissance (maximum)119W (Tc)
Vgs(e) (Max) @ Id4.8V @ 700µA
Package d'appareil du fournisseurTO-263
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)10V
Vgs (Max)±20V
Tension drain-source (Vdss)650 V
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs24 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds1000 pF @ 400 V
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