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TP65H050G4WS
650 V 34 A GAN FET
TP65H050G4WS
FET simples, MOSFET
Transphorm
650 V 34 A GAN
-
Tube
6713
1
: $14.3600
: 6713

1

$14.3600

$14.3600

30

$11.6200

$348.6000

120

$10.9400

$1,312.8000

510

$9.9100

$5,054.1000

1020

$9.0900

$9,271.8000

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TP65H050G4WS
-
Transphorm
650 V 34 A GAN
-
Tube
6713
YES
Paramètres du produit
PDF(1)
TAPERDESCRIPTION
FabricantTransphorm
SérieSuperGaN®
EmballerTube
État du produitACTIVE
Colis/CaisseTO-247-3
Type de montageThrough Hole
Température de fonctionnement-55°C ~ 150°C (TJ)
TechnologieGaNFET (Gallium Nitride)
Type FETN-Channel
Courant - Drain continu (Id) à 25°C34A (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs60mOhm @ 22A, 10V
Dissipation de puissance (maximum)119W (Tc)
Vgs(e) (Max) @ Id4.8V @ 700µA
Package d'appareil du fournisseurTO-247-3
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)10V
Vgs (Max)±20V
Tension drain-source (Vdss)650 V
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs24 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds1000 pF @ 400 V
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