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TP65H050WS
GANFET N-CH 650V 34A TO247-3
TP65H050WS
FET simples, MOSFET
Transphorm
GANFET N-CH 650
-
Tube
6817
1
: $17.6700
: 6817

1

$17.6700

$17.6700

30

$14.3000

$429.0000

120

$13.4600

$1,615.2000

510

$12.2000

$6,222.0000

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TP65H050WS
-
Transphorm
GANFET N-CH 650
-
Tube
6817
YES
Paramètres du produit
PDF(1)
TAPERDESCRIPTION
FabricantTransphorm
Série-
EmballerTube
État du produitACTIVE
Colis/CaisseTO-247-3
Type de montageThrough Hole
Température de fonctionnement-55°C ~ 150°C (TJ)
TechnologieGaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
Type FETN-Channel
Courant - Drain continu (Id) à 25°C34A (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs60mOhm @ 22A, 10V
Dissipation de puissance (maximum)119W (Tc)
Vgs(e) (Max) @ Id4.8V @ 700µA
Package d'appareil du fournisseurTO-247-3
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)12V
Vgs (Max)±20V
Tension drain-source (Vdss)650 V
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs24 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds1000 pF @ 400 V
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