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TP65H050WSQA
GANFET N-CH 650V 36A TO247-3
TP65H050WSQA
FET simples, MOSFET
Transphorm
GANFET N-CH 650
-
Tube
6543
1
: $15.3700
: 6543

1

$18.9800

$18.9800

30

$15.3700

$461.1000

120

$14.4600

$1,735.2000

510

$13.1100

$6,686.1000

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TP65H050WSQA
-
Transphorm
GANFET N-CH 650
-
Tube
6543
YES
Paramètres du produit
PDF(1)
TAPERDESCRIPTION
FabricantTransphorm
Série-
EmballerTube
État du produitACTIVE
Colis/CaisseTO-247-3
Type de montageThrough Hole
Température de fonctionnement-55°C ~ 175°C (TJ)
TechnologieGaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
Type FETN-Channel
Courant - Drain continu (Id) à 25°C36A (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs60mOhm @ 25A, 10V
Dissipation de puissance (maximum)150W (Tc)
Vgs(e) (Max) @ Id4.8V @ 700µA
Package d'appareil du fournisseurTO-247-3
GradeAutomotive
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)10V
Vgs (Max)±20V
Tension drain-source (Vdss)650 V
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs24 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds1000 pF @ 400 V
QualificationAEC-Q101
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