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TP65H070G4LSG-TR
GANFET N-CH 650V 29A QFN8X8
TP65H070G4LSG-TR
FET simples, MOSFET
Transphorm
GANFET N-CH 650
-
Bande et bobine (TR)
9186
: $5.1100
: 9186

1

$9.6200

$9.6200

10

$8.2400

$82.4000

100

$6.8700

$687.0000

500

$6.0600

$3,030.0000

1000

$5.4500

$5,450.0000

3000

$5.1100

$15,330.0000

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TP65H070G4LSG-TR
-
Transphorm
GANFET N-CH 650
-
Bande et bobine (TR)
9186
NO
Paramètres du produit
PDF(1)
TAPERDESCRIPTION
FabricantTransphorm
SérieSuperGaN®
EmballerBande et bobine (TR)
État du produitACTIVE
Colis/Caisse3-PowerTDFN
Type de montageSurface Mount
Température de fonctionnement-55°C ~ 150°C (TJ)
TechnologieGaNFET (Gallium Nitride)
Type FETN-Channel
Courant - Drain continu (Id) à 25°C29A (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs85mOhm @ 16A, 10V
Dissipation de puissance (maximum)96W (Tc)
Vgs(e) (Max) @ Id4.8V @ 700µA
Package d'appareil du fournisseur3-PQFN (8x8)
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)10V
Vgs (Max)±20V
Tension drain-source (Vdss)650 V
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs8.4 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds600 pF @ 400 V
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