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TP65H070G4QS-TR
650 V 29 A GAN FET
TP65H070G4QS-TR
FET simples, MOSFET
Transphorm
650 V 29 A GAN
-
Bande et bobine (TR)
6500
1
: $8.6100
: 6500

1

$8.6100

$8.6100

10

$7.3800

$73.8000

100

$6.1500

$615.0000

500

$5.4200

$2,710.0000

1000

$4.8800

$4,880.0000

2000

$4.5700

$9,140.0000

image of FET simples, MOSFET>TP65H070G4QS-TR
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TP65H070G4QS-TR
-
Transphorm
650 V 29 A GAN
-
Bande et bobine (TR)
6500
YES
Paramètres du produit
PDF(1)
TAPERDESCRIPTION
FabricantTransphorm
Série-
EmballerBande et bobine (TR)
État du produitACTIVE
Colis/Caisse8-PowerSFN
Type de montageSurface Mount
Température de fonctionnement-55°C ~ 150°C (TJ)
TechnologieGaNFET (Gallium Nitride)
Type FETN-Channel
Courant - Drain continu (Id) à 25°C29A (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs85mOhm @ 16A, 10V
Dissipation de puissance (maximum)96W (Tc)
Vgs(e) (Max) @ Id4.8V @ 700µA
Package d'appareil du fournisseurTOLL
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)10V
Vgs (Max)±20V
Tension drain-source (Vdss)650 V
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs8.4 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds600 pF @ 400 V
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