+86-15869849588
  • image of FET simples, MOSFET>TP65H070LDG-TR
  • image of FET simples, MOSFET>TP65H070LDG-TR
TP65H070LDG-TR
650 V 25 A GAN FET
TP65H070LDG-TR
FET simples, MOSFET
Transphorm
650 V 25 A GAN
-
Bande et bobine (TR)
8130
1
: $12.6200
: 8130

1

$12.6200

$12.6200

10

$11.1200

$111.2000

100

$9.6200

$962.0000

500

$8.7100

$4,355.0000

1000

$7.9900

$7,990.0000

image of FET simples, MOSFET>TP65H070LDG-TR
image of FET simples, MOSFET>TP65H070LDG-TR
TP65H070LDG-TR
-
Transphorm
650 V 25 A GAN
-
Bande et bobine (TR)
8130
YES
Paramètres du produit
PDF(1)
TAPERDESCRIPTION
FabricantTransphorm
SérieTP65H070L
EmballerBande et bobine (TR)
État du produitACTIVE
Colis/Caisse3-PowerDFN
Type de montageSurface Mount
Température de fonctionnement-55°C ~ 150°C (TJ)
TechnologieGaNFET (Gallium Nitride)
Type FETN-Channel
Courant - Drain continu (Id) à 25°C25A (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs85mOhm @ 16A, 10V
Dissipation de puissance (maximum)96W (Tc)
Vgs(e) (Max) @ Id4.8V @ 700µA
Package d'appareil du fournisseur3-PQFN (8x8)
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)10V
Vgs (Max)±20V
Tension drain-source (Vdss)650 V
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs9.3 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds600 pF @ 400 V
captcha

+86-15869849588
0