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TP65H070LSG
GANFET N-CH 650V 25A 3PQFN
TP65H070LSG
FET simples, MOSFET
Transphorm
GANFET N-CH 650
-
Tube
6500
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TP65H070LSG
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Transphorm
GANFET N-CH 650
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Tube
6500
NO
Paramètres du produit
PDF(1)
TAPERDESCRIPTION
FabricantTransphorm
SérieTP65H070L
EmballerTube
État du produitDISCONTINUED
Colis/Caisse3-PowerDFN
Type de montageSurface Mount
Température de fonctionnement-55°C ~ 150°C (TJ)
TechnologieGaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
Type FETN-Channel
Courant - Drain continu (Id) à 25°C25A (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs85mOhm @ 16A, 10V
Dissipation de puissance (maximum)96W (Tc)
Vgs(e) (Max) @ Id4.8V @ 700µA
Package d'appareil du fournisseur3-PQFN (8x8)
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)10V
Vgs (Max)±20V
Tension drain-source (Vdss)650 V
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs9.3 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds600 pF @ 400 V
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