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TP65H150G4LSG-TR
650 V 13 A GAN FET
TP65H150G4LSG-TR
FET simples, MOSFET
Transphorm
650 V 13 A GAN
-
Bande et bobine (TR)
12387
1
: $2.3500
: 12387

1

$4.8200

$4.8200

10

$4.0500

$40.5000

100

$3.2700

$327.0000

500

$2.9100

$1,455.0000

1000

$2.4900

$2,490.0000

3000

$2.3500

$7,050.0000

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TP65H150G4LSG-TR
-
Transphorm
650 V 13 A GAN
-
Bande et bobine (TR)
12387
YES
Paramètres du produit
PDF(1)
TAPERDESCRIPTION
FabricantTransphorm
Série-
EmballerBande et bobine (TR)
État du produitACTIVE
Colis/Caisse3-PowerTDFN
Type de montageSurface Mount
Température de fonctionnement-55°C ~ 150°C (TJ)
TechnologieGaNFET (Gallium Nitride)
Type FETN-Channel
Courant - Drain continu (Id) à 25°C13A (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs180mOhm @ 8.5A, 10V
Dissipation de puissance (maximum)52W (Tc)
Vgs(e) (Max) @ Id4.8V @ 500µA
Package d'appareil du fournisseur3-PQFN (8x8)
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)10V
Vgs (Max)±20V
Tension drain-source (Vdss)650 V
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs8 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds598 pF @ 400 V
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