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TP65H150G4LSG
GAN FET N-CH 650V PQFN
TP65H150G4LSG
FET simples, MOSFET
Transphorm
GAN FET N-CH 65
-
Plateau
9334
: $5.0600
: 9334

1

$5.0600

$5.0600

10

$4.5400

$45.4000

100

$3.7200

$372.0000

500

$3.1700

$1,585.0000

1000

$2.6700

$2,670.0000

3000

$2.3500

$7,050.0000

image of FET simples, MOSFET>TP65H150G4LSG
TP65H150G4LSG
-
Transphorm
GAN FET N-CH 65
-
Plateau
9334
NO
Paramètres du produit
TAPERDESCRIPTION
FabricantTransphorm
Série-
EmballerPlateau
État du produitACTIVE
Colis/Caisse3-PowerTDFN
Type de montageSurface Mount
Température de fonctionnement-55°C ~ 150°C (TJ)
TechnologieGaNFET (Gallium Nitride)
Type FETN-Channel
Courant - Drain continu (Id) à 25°C13A (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs180mOhm @ 8.5A, 10V
Dissipation de puissance (maximum)52W (Tc)
Vgs(e) (Max) @ Id4.8V @ 500µA
Package d'appareil du fournisseur3-PQFN (8x8)
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)10V
Vgs (Max)±20V
Tension drain-source (Vdss)650 V
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs8 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds598 pF @ 400 V
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