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TP65H300G4JSGB-TR
GANFET N-CH 650V 9.2A QFN5X6
TP65H300G4JSGB-TR
FET simples, MOSFET
Transphorm
GANFET N-CH 650
-
Bande et bobine (TR)
10442
: $1.5600
: 10442

1

$3.2100

$3.2100

10

$2.7000

$27.0000

100

$2.1800

$218.0000

500

$1.9400

$970.0000

1000

$1.6600

$1,660.0000

2000

$1.5600

$3,120.0000

4000

$1.5600

$6,240.0000

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TP65H300G4JSGB-TR
-
Transphorm
GANFET N-CH 650
-
Bande et bobine (TR)
10442
NO
Paramètres du produit
PDF(1)
TAPERDESCRIPTION
FabricantTransphorm
SérieSuperGaN®
EmballerBande et bobine (TR)
État du produitACTIVE
Colis/Caisse8-PowerTDFN
Type de montageSurface Mount
Température de fonctionnement-55°C ~ 150°C (TJ)
TechnologieGaNFET (Gallium Nitride)
Type FETN-Channel
Courant - Drain continu (Id) à 25°C9.2A (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs312mOhm @ 6.5A, 6V
Dissipation de puissance (maximum)41.6W (Tc)
Vgs(e) (Max) @ Id2.8V @ 500µA
Package d'appareil du fournisseur8-PQFN (5x6)
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)6V
Vgs (Max)±10V
Tension drain-source (Vdss)650 V
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs3.5 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds400 pF @ 400 V
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