+86-15869849588
  • image of FET simples, MOSFET>TP65H300G4LSGB-TR
  • image of FET simples, MOSFET>TP65H300G4LSGB-TR
TP65H300G4LSGB-TR
GANFET N-CH 650V 6.5A QFN8X8
TP65H300G4LSGB-TR
FET simples, MOSFET
Transphorm
GANFET N-CH 650
-
Bande et bobine (TR)
9479
1
: $1.5000
: 9479

1

$3.0800

$3.0800

10

$2.5800

$25.8000

100

$2.0900

$209.0000

500

$1.8600

$930.0000

1000

$1.5900

$1,590.0000

3000

$1.5000

$4,500.0000

6000

$1.4400

$8,640.0000

image of FET simples, MOSFET>TP65H300G4LSGB-TR
image of FET simples, MOSFET>TP65H300G4LSGB-TR
TP65H300G4LSGB-TR
-
Transphorm
GANFET N-CH 650
-
Bande et bobine (TR)
9479
YES
Paramètres du produit
PDF(1)
TAPERDESCRIPTION
FabricantTransphorm
SérieSuperGaN®
EmballerBande et bobine (TR)
État du produitACTIVE
Colis/Caisse8-VDFN Exposed Pad
Type de montageSurface Mount
Température de fonctionnement-55°C ~ 150°C (TJ)
TechnologieGaNFET (Gallium Nitride)
Type FETN-Channel
Courant - Drain continu (Id) à 25°C6.5A (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs312mOhm @ 6.5A, 6V
Dissipation de puissance (maximum)21W (Tc)
Vgs(e) (Max) @ Id2.8V @ 500µA
Package d'appareil du fournisseur8-PQFN (8x8)
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)6V
Vgs (Max)±12V
Tension drain-source (Vdss)650 V
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs8.8 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds730 pF @ 400 V
captcha

+86-15869849588
0