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TP65H480G4JSG-TR
GANFET N-CH 650V 3.6A 3PQFN
TP65H480G4JSG-TR
FET simples, MOSFET
Transphorm
GANFET N-CH 650
-
Bande et bobine (TR)
9315
: $2.9700
: 9315

1

$2.9700

$2.9700

10

$2.4900

$24.9000

100

$2.0200

$202.0000

500

$1.7900

$895.0000

1000

$1.5400

$1,540.0000

2000

$1.4500

$2,900.0000

4000

$1.4500

$5,800.0000

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TP65H480G4JSG-TR
-
Transphorm
GANFET N-CH 650
-
Bande et bobine (TR)
9315
NO
Paramètres du produit
PDF(1)
TAPERDESCRIPTION
FabricantTransphorm
Série-
EmballerBande et bobine (TR)
État du produitACTIVE
Colis/Caisse3-PowerTDFN
Type de montageSurface Mount
Température de fonctionnement-55°C ~ 150°C (TJ)
TechnologieGaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
Type FETN-Channel
Courant - Drain continu (Id) à 25°C3.6A (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs560mOhm @ 3.4A, 8V
Dissipation de puissance (maximum)13.2W (Tc)
Vgs(e) (Max) @ Id2.8V @ 500µA
Package d'appareil du fournisseur3-PQFN (5x6)
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)8V
Vgs (Max)±18V
Tension drain-source (Vdss)650 V
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs9 nC @ 8 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds760 pF @ 400 V
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