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TP65H480G4JSGB-TR
GANFET N-CH 650V 3.6A QFN5X6
TP65H480G4JSGB-TR
FET simples, MOSFET
Transphorm
GANFET N-CH 650
-
Bande et bobine (TR)
10426
: $1.3200
: 10426

1

$2.9200

$2.9200

10

$2.4300

$24.3000

100

$1.9300

$193.0000

500

$1.6300

$815.0000

1000

$1.3900

$1,390.0000

2000

$1.3200

$2,640.0000

4000

$1.3200

$5,280.0000

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TP65H480G4JSGB-TR
-
Transphorm
GANFET N-CH 650
-
Bande et bobine (TR)
10426
NO
TP65H480G4JSGB-TR
Transphorm
650V 480mΩ SuperGaN® FET in PQFN56
TP65H480G4JSGB-TR
Transphorm
478798
Paramètres du produit
PDF(1)
TAPERDESCRIPTION
FabricantTransphorm
SérieSuperGaN®
EmballerBande et bobine (TR)
État du produitACTIVE
Colis/Caisse8-PowerTDFN
Type de montageSurface Mount
Température de fonctionnement-55°C ~ 150°C (TJ)
TechnologieGaNFET (Gallium Nitride)
Type FETN-Channel
Courant - Drain continu (Id) à 25°C3.6A (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs560mOhm @ 3A, 6V
Dissipation de puissance (maximum)13.2W (Tc)
Vgs(e) (Max) @ Id2.8V @ 500µA
Package d'appareil du fournisseur8-PQFN (5x6)
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)6V
Vgs (Max)±10V
Tension drain-source (Vdss)650 V
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs5 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds414 pF @ 400 V
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