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TPD3215M
GANFET 2N-CH 600V 70A MODULE
TPD3215M
Matrices FET, MOSFET
Transphorm
GANFET 2N-CH 60
-
En gros
6500
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-
Transphorm
GANFET 2N-CH 60
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En gros
6500
NO
Paramètres du produit
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TAPERDESCRIPTION
FabricantTransphorm
Série-
EmballerEn gros
État du produitOBSOLETE
Colis/CaisseModule
Type de montageThrough Hole
Configuration2 N-Channel (Half Bridge)
Température de fonctionnement-40°C ~ 150°C (TJ)
TechnologieGaNFET (Gallium Nitride)
Puissance - Max470W
Tension drain-source (Vdss)600V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C70A (Tc)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds2260pF @ 100V
Rds activé (Max) @ Id, Vgs34mOhm @ 30A, 8V
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs28nC @ 8V
Package d'appareil du fournisseurModule
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