+86-15869849588
  • image of FET simples, MOSFET>TPH3208LDG
  • image of FET simples, MOSFET>TPH3208LDG
TPH3208LDG
GANFET N-CH 650V 20A 3PQFN
TPH3208LDG
FET simples, MOSFET
Transphorm
GANFET N-CH 650
-
Tube
6509
1
: $10.9100
: 6509

1

$10.9100

$10.9100

image of FET simples, MOSFET>TPH3208LDG
image of FET simples, MOSFET>TPH3208LDG
TPH3208LDG
-
Transphorm
GANFET N-CH 650
-
Tube
6509
YES
Paramètres du produit
PDF(1)
PDF(2)
PDF(3)
TAPERDESCRIPTION
FabricantTransphorm
Série-
EmballerTube
État du produitOBSOLETE
Colis/Caisse3-PowerDFN
Type de montageSurface Mount
Température de fonctionnement-55°C ~ 150°C (TJ)
TechnologieGaNFET (Gallium Nitride)
Type FETN-Channel
Courant - Drain continu (Id) à 25°C20A (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs130mOhm @ 13A, 8V
Dissipation de puissance (maximum)96W (Tc)
Vgs(e) (Max) @ Id2.6V @ 300µA
Package d'appareil du fournisseur3-PQFN (8x8)
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)10V
Vgs (Max)±18V
Tension drain-source (Vdss)650 V
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs14 nC @ 8 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds760 pF @ 400 V
captcha

+86-15869849588
0