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UF3C065030B3
MOSFET N-CH 650V 65A TO263
UF3C065030B3
FET simples, MOSFET
UnitedSiC (Qorvo)
MOSFET N-CH 650
-
Bande et bobine (TR)
11123
1
: $12.6400
: 11123

1

$18.3000

$18.3000

10

$16.1300

$161.3000

100

$13.9500

$1,395.0000

800

$12.6400

$10,112.0000

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UF3C065030B3
-
UnitedSiC (Qorvo)
MOSFET N-CH 650
-
Bande et bobine (TR)
11123
YES
Paramètres du produit
TAPERDESCRIPTION
FabricantUnitedSiC (Qorvo)
Série-
EmballerBande et bobine (TR)
État du produitACTIVE
Colis/CaisseTO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Type de montageSurface Mount
Température de fonctionnement-55°C ~ 175°C (TJ)
Type FETN-Channel
Courant - Drain continu (Id) à 25°C65A (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs35mOhm @ 40A, 12V
Dissipation de puissance (maximum)242W (Tc)
Vgs(e) (Max) @ Id6V @ 10mA
Package d'appareil du fournisseurTO-263 (D2PAK)
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)12V
Vgs (Max)±25V
Tension drain-source (Vdss)650 V
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs51 nC @ 15 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds1500 pF @ 100 V
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