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XP10TN028YT
MOSFET N-CH 100V 7.5A PMPAK
XP10TN028YT
FET simples, MOSFET
YAGEO XSEMI
MOSFET N-CH 100
-
Bande et bobine (TR)
7500
1
: $1.0800
: 7500

1

$2.3900

$2.3900

10

$1.9900

$19.9000

100

$1.5800

$158.0000

500

$1.3400

$670.0000

1000

$1.1400

$1,140.0000

3000

$1.0800

$3,240.0000

6000

$1.0400

$6,240.0000

9000

$1.0000

$9,000.0000

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XP10TN028YT
-
YAGEO XSEMI
MOSFET N-CH 100
-
Bande et bobine (TR)
7500
YES
Paramètres du produit
PDF(1)
TAPERDESCRIPTION
FabricantYAGEO XSEMI
SérieXP10TN028
EmballerBande et bobine (TR)
État du produitACTIVE
Colis/Caisse8-PowerDFN
Type de montageSurface Mount
Température de fonctionnement-55°C ~ 150°C (TJ)
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Type FETN-Channel
Courant - Drain continu (Id) à 25°C7.5A (Ta)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs28mOhm @ 7A, 10V
Dissipation de puissance (maximum)3.125W (Ta)
Vgs(e) (Max) @ Id3V @ 250µA
Package d'appareil du fournisseurPMPAK® 3 x 3
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)5V, 10V
Vgs (Max)±20V
Tension drain-source (Vdss)100 V
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs23 nC @ 4.5 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds2160 pF @ 50 V
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