+86-15869849588
XP3C023AMT
MOSFET N AND P-CH 30V 12A 10A
XP3C023AMT
Matrices FET, MOSFET
YAGEO XSEMI
MOSFET N AND P-
-
Bande et bobine (TR)
7500
1
: $0.8600
: 7500

1

$1.9000

$1.9000

10

$1.5800

$15.8000

100

$1.2600

$126.0000

500

$1.0600

$530.0000

1000

$0.9000

$900.0000

3000

$0.8600

$2,580.0000

6000

$0.8200

$4,920.0000

9000

$0.8000

$7,200.0000

image of Matrices FET, MOSFET>XP3C023AMT
XP3C023AMT
-
YAGEO XSEMI
MOSFET N AND P-
-
Bande et bobine (TR)
7500
YES
Paramètres du produit
PDF(1)
TAPERDESCRIPTION
FabricantYAGEO XSEMI
SérieXP3C023A
EmballerBande et bobine (TR)
État du produitACTIVE
Colis/Caisse8-PowerLDFN
Type de montageSurface Mount
ConfigurationN and P-Channel
Température de fonctionnement-55°C ~ 150°C (TJ)
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Puissance - Max3.57W (Ta)
Tension drain-source (Vdss)30V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C12A (Ta), 10A (Ta)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds2320pF @ 15V, 2480pF @ 15V
Rds activé (Max) @ Id, Vgs10.4mOhm @ 10A, 10V, 23.5mOhm @ 7.5A, 10V
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs19.2nC @ 4.5V, 21.6nC @ 4.5V
Vgs(e) (Max) @ Id2.5V @ 1mA
Package d'appareil du fournisseurPMPAK® 5 x 6
captcha

+86-15869849588
0