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XP3N1R0MT
FET N-CH 30V 54.2A 245A PMPAK
XP3N1R0MT
FET simples, MOSFET
YAGEO XSEMI
FET N-CH 30V 54
-
Bande et bobine (TR)
7500
1
: $4.0400
: 7500

1

$4.0400

$4.0400

10

$3.3900

$33.9000

100

$2.7400

$274.0000

500

$2.4400

$1,220.0000

1000

$2.0900

$2,090.0000

3000

$1.9600

$5,880.0000

image of FET simples, MOSFET>XP3N1R0MT
XP3N1R0MT
-
YAGEO XSEMI
FET N-CH 30V 54
-
Bande et bobine (TR)
7500
YES
Paramètres du produit
TAPERDESCRIPTION
FabricantYAGEO XSEMI
SérieXP3N1R0
EmballerBande et bobine (TR)
État du produitACTIVE
Colis/Caisse8-PowerLDFN
Type de montageSurface Mount
Température de fonctionnement-55°C ~ 150°C (TJ)
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Type FETN-Channel
Courant - Drain continu (Id) à 25°C54.2A (Ta), 245A (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs1.05mOhm @ 20A, 10V
Dissipation de puissance (maximum)5W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(e) (Max) @ Id2.2V @ 250µA
Package d'appareil du fournisseurPMPAK® 5 x 6
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Vgs (Max)±20V
Tension drain-source (Vdss)30 V
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs120 nC @ 4.5 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds12320 pF @ 15 V
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