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XP4N4R2H
MOSFET N-CH 40V 75A TO252
XP4N4R2H
FET simples, MOSFET
YAGEO XSEMI
MOSFET N-CH 40V
-
Bande et bobine (TR)
7500
1
: $0.9600
: 7500

1

$2.1200

$2.1200

10

$1.7600

$17.6000

100

$1.4000

$140.0000

500

$1.1900

$595.0000

1000

$1.0100

$1,010.0000

3000

$0.9600

$2,880.0000

6000

$0.9200

$5,520.0000

9000

$0.8900

$8,010.0000

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XP4N4R2H
-
YAGEO XSEMI
MOSFET N-CH 40V
-
Bande et bobine (TR)
7500
YES
Paramètres du produit
PDF(1)
TAPERDESCRIPTION
FabricantYAGEO XSEMI
SérieXP4N4R2
EmballerBande et bobine (TR)
État du produitACTIVE
Colis/CaisseTO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Type de montageSurface Mount
Température de fonctionnement-55°C ~ 150°C (TJ)
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Type FETN-Channel
Courant - Drain continu (Id) à 25°C75A (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs4.2mOhm @ 40A, 10V
Dissipation de puissance (maximum)2W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(e) (Max) @ Id3V @ 250µA
Package d'appareil du fournisseurTO-252
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Vgs (Max)±20V
Tension drain-source (Vdss)40 V
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs44.8 nC @ 4.5 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds4000 pF @ 20 V
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