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XP4NA1R4CMT-A
MOSFET N-CH 45V 49A 223A PMPAK
XP4NA1R4CMT-A
FET simples, MOSFET
YAGEO XSEMI
MOSFET N-CH 45V
-
Bande et bobine (TR)
7500
1
: $4.3100
: 7500

1

$4.3100

$4.3100

10

$3.6200

$36.2000

100

$2.9300

$293.0000

500

$2.6000

$1,300.0000

1000

$2.2300

$2,230.0000

3000

$2.1000

$6,300.0000

image of FET simples, MOSFET>XP4NA1R4CMT-A
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XP4NA1R4CMT-A
-
YAGEO XSEMI
MOSFET N-CH 45V
-
Bande et bobine (TR)
7500
YES
Paramètres du produit
TAPERDESCRIPTION
FabricantYAGEO XSEMI
SérieXP4NA1R4C
EmballerBande et bobine (TR)
État du produitACTIVE
Colis/Caisse8-PowerLDFN
Type de montageSurface Mount
Température de fonctionnement-55°C ~ 150°C (TJ)
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Type FETN-Channel
Courant - Drain continu (Id) à 25°C49A (Ta), 223A (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs1.4mOhm @ 20A, 10V
Dissipation de puissance (maximum)5W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(e) (Max) @ Id3V @ 250µA
Package d'appareil du fournisseurPMPAK® 5 x 6
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Vgs (Max)±20V
Tension drain-source (Vdss)45 V
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs75.2 nC @ 4.5 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds7200 pF @ 20 V
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