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XP4P090N
MOSFET P-CH 40V 3A SOT23
XP4P090N
FET simples, MOSFET
YAGEO XSEMI
MOSFET P-CH 40V
-
Bande et bobine (TR)
7485
1
: $0.2100
: 7485

1

$0.6100

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10

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$5.3000

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$37.0000

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$0.2900

$145.0000

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$0.2300

$230.0000

3000

$0.2100

$630.0000

6000

$0.2000

$1,200.0000

9000

$0.1800

$1,620.0000

30000

$0.1800

$5,400.0000

image of FET simples, MOSFET>XP4P090N
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XP4P090N
-
YAGEO XSEMI
MOSFET P-CH 40V
-
Bande et bobine (TR)
7485
YES
Paramètres du produit
PDF(1)
TAPERDESCRIPTION
FabricantYAGEO XSEMI
SérieXP4P090
EmballerBande et bobine (TR)
État du produitACTIVE
Colis/CaisseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Type de montageSurface Mount
Température de fonctionnement-55°C ~ 150°C (TJ)
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Type FETP-Channel
Courant - Drain continu (Id) à 25°C3A (Ta)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs90mOhm @ 3A, 10V
Dissipation de puissance (maximum)1.25W (Ta)
Vgs(e) (Max) @ Id3V @ 250µA
Package d'appareil du fournisseurSOT-23
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Vgs (Max)±20V
Tension drain-source (Vdss)40 V
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs8.8 nC @ 4.5 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds976 pF @ 20 V
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