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XP65SL380DH
MOSFET N-CH 650V 10A TO252
XP65SL380DH
FET simples, MOSFET
YAGEO XSEMI
MOSFET N-CH 650
-
Bande et bobine (TR)
7497
1
: $4.4900
: 7497

1

$4.4900

$4.4900

10

$3.7700

$37.7000

100

$3.0500

$305.0000

500

$2.7100

$1,355.0000

1000

$2.3200

$2,320.0000

3000

$2.1900

$6,570.0000

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XP65SL380DH
-
YAGEO XSEMI
MOSFET N-CH 650
-
Bande et bobine (TR)
7497
YES
Paramètres du produit
PDF(1)
TAPERDESCRIPTION
FabricantYAGEO XSEMI
SérieXP65SL380D
EmballerBande et bobine (TR)
État du produitACTIVE
Colis/CaisseTO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Type de montageSurface Mount
Température de fonctionnement-55°C ~ 150°C (TJ)
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Type FETN-Channel
Courant - Drain continu (Id) à 25°C10A (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs380mOhm @ 3.2A, 10V
Dissipation de puissance (maximum)2W (Ta), 78.1W (Tc)
Vgs(e) (Max) @ Id5V @ 250µA
Package d'appareil du fournisseurTO-252
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)10V
Vgs (Max)±20V
Tension drain-source (Vdss)650 V
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs52.8 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds1860 pF @ 100 V
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