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XP6N090N
MOSFET N-CH 60V 2.5A SOT23
XP6N090N
FET simples, MOSFET
YAGEO XSEMI
MOSFET N-CH 60V
-
Bande et bobine (TR)
7490
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XP6N090N
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YAGEO XSEMI
MOSFET N-CH 60V
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Bande et bobine (TR)
7490
YES
Paramètres du produit
PDF(1)
TAPERDESCRIPTION
FabricantYAGEO XSEMI
SérieXP6N090
EmballerBande et bobine (TR)
État du produitACTIVE
Colis/CaisseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Type de montageSurface Mount
Température de fonctionnement-55°C ~ 150°C (TJ)
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Type FETN-Channel
Courant - Drain continu (Id) à 25°C2.5A (Ta)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs90mOhm @ 2.5A, 10V
Dissipation de puissance (maximum)1.25W (Ta)
Vgs(e) (Max) @ Id3V @ 250µA
Package d'appareil du fournisseurSOT-23
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Vgs (Max)±20V
Tension drain-source (Vdss)60 V
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs16 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds720 pF @ 15 V
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