+86-15869849588
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>BSC0996NSATMA1
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>BSC0996NSATMA1
BSC0996NSATMA1
MOSFET N-CH 34V 13A TDSON-8-5
BSC0996NSATMA1
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
IR (Infineon Technologies)
MOSFET N-CH 34V
-
Лента и катушка (TR)
6500
1
: $0.2800
: 6500

5000

$0.2800

$1,400.0000

10000

$0.2600

$2,600.0000

25000

$0.2600

$6,500.0000

image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>BSC0996NSATMA1
image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>BSC0996NSATMA1
BSC0996NSATMA1
-
IR (Infineon Technologies)
MOSFET N-CH 34V
-
Лента и катушка (TR)
6500
YES
Параметры продукции 
PDF(1)
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительIR (Infineon Technologies)
РядOptiMOS™
УпаковкаЛента и катушка (TR)
Статус продуктаNOT_FOR_NEW_DESIGNS
Пакет/кейс8-PowerTDFN
Тип монтажаSurface Mount
Рабочая Температура-55°C ~ 150°C (TJ)
ТехнологииMOSFET (Metal Oxide)
Тип полевого транзистораN-Channel
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C13A (Ta)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs9mOhm @ 8A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс.)2.5W (Ta)
Vgs(th) (Макс) @ Id2V @ 250µA
Пакет устройств поставщикаPG-TDSON-8-5
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)4.5V, 10V
ВГС (Макс)±20V
Напряжение стока к источнику (Vdss)34 V
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs20 nC @ 10 V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds1500 pF @ 15 V
captcha

+86-15869849588
0