+86-15869849588
  • image of Память>BY25Q128ESSIG(T)
  • image of Память>BY25Q128ESSIG(T)
BY25Q128ESSIG(T)
128 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -
BY25Q128ESSIG(T)
Память
BYTe Semiconductor
128 MBIT, 3.0V
-
Трубка
16000
1
: $1.0000
: 16000

1

$1.4300

$1.4300

10

$1.2800

$12.8000

95

$1.0000

$95.0000

285

$0.9300

$265.0500

570

$0.8200

$467.4000

1045

$0.6500

$679.2500

2565

$0.6100

$1,564.6500

5035

$0.5800

$2,920.3000

image of Память>BY25Q128ESSIG(T)
image of Память>BY25Q128ESSIG(T)
BY25Q128ESSIG(T)
-
BYTe Semiconductor
128 MBIT, 3.0V
-
Трубка
16000
YES
Параметры продукции 
PDF(1)
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительBYTe Semiconductor
Ряд-
УпаковкаТрубка
Статус продуктаACTIVE
Пакет/кейс8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Тип монтажаSurface Mount
Объем памяти128Mbit
Тип памятиNon-Volatile
Рабочая Температура-40°C ~ 85°C (TA)
Напряжение питания2.7V ~ 3.6V
ТехнологииFLASH - NOR (SLC)
Тактовая частота120 MHz
Формат памятиFLASH
Пакет устройств поставщика8-SOP
Время цикла записи — Word, Page60µs, 2.4ms
Интерфейс памятиSPI - Quad I/O
Время доступа7.5 ns
Организация памяти16M x 8
captcha

+86-15869849588
0