+86-15869849588
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>DMN1019USNQ-7
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>DMN1019USNQ-7
DMN1019USNQ-7
MOSFET BVDSS: 8V~24V SC59 T&R 3K
DMN1019USNQ-7
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
MOSFET BVDSS: 8
-
Лента и катушка (TR)
6500
1
: $0.1300
: 6500

3000

$0.1300

$390.0000

6000

$0.1300

$780.0000

9000

$0.1100

$990.0000

30000

$0.1100

$3,300.0000

75000

$0.1100

$8,250.0000

image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>DMN1019USNQ-7
image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>DMN1019USNQ-7
DMN1019USNQ-7
-
Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
MOSFET BVDSS: 8
-
Лента и катушка (TR)
6500
YES
Параметры продукции 
PDF(1)
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительZetex Semiconductors (Diodes Inc.)
Ряд-
УпаковкаЛента и катушка (TR)
Статус продуктаACTIVE
Пакет/кейсTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Тип монтажаSurface Mount
Рабочая Температура-55°C ~ 150°C (TJ)
ТехнологииMOSFET (Metal Oxide)
Тип полевого транзистораN-Channel
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C9.3A (Ta)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs10mOhm @ 9.7A, 4.5V
Рассеиваемая мощность (макс.)680mW (Ta)
Vgs(th) (Макс) @ Id800mV @ 250µA
Пакет устройств поставщикаSC-59-3
ОценкаAutomotive
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)1.2V, 4.5V
ВГС (Макс)±8V
Напряжение стока к источнику (Vdss)12 V
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs50.6 nC @ 8 V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds2426 pF @ 10 V
КвалификацияAEC-Q101
captcha

+86-15869849588
0