+86-15869849588
  • image of Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов>DMT32M6LDG-13
  • image of Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов>DMT32M6LDG-13
DMT32M6LDG-13
MOSFET 2N-CH 30V 21A PWRDI3333
DMT32M6LDG-13
Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов
Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
MOSFET 2N-CH 30
-
Лента и катушка (TR)
9490
1
: $1.4900
: 9490

1

$1.4900

$1.4900

10

$1.2200

$12.2000

100

$0.9500

$95.0000

500

$0.8100

$405.0000

1000

$0.6600

$660.0000

3000

$0.6200

$1,860.0000

6000

$0.5900

$3,540.0000

9000

$0.5600

$5,040.0000

image of Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов>DMT32M6LDG-13
image of Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов>DMT32M6LDG-13
DMT32M6LDG-13
-
Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
MOSFET 2N-CH 30
-
Лента и катушка (TR)
9490
YES
Параметры продукции 
PDF(1)
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительZetex Semiconductors (Diodes Inc.)
Ряд-
УпаковкаЛента и катушка (TR)
Статус продуктаACTIVE
Пакет/кейс8-PowerVDFN
Тип монтажаSurface Mount
Конфигурация2 N-Channel (Dual)
Рабочая Температура-55°C ~ 150°C (TJ)
ТехнологииMOSFET (Metal Oxide)
Мощность - Макс.1.1W (Ta)
Напряжение стока к источнику (Vdss)30V
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C21A (Ta), 47A (Tc)
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds2101pF @ 15V
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs2.5mOhm @ 18A, 10V
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs15.6nC @ 4.5V
Vgs(th) (Макс) @ Id2.2V @ 400µA
Пакет устройств поставщикаPowerDI3333-8 (Type G)
captcha

+86-15869849588
0