+86-15869849588
  • image of Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов>DMTH10H038SPDWQ-13
  • image of Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов>DMTH10H038SPDWQ-13
DMTH10H038SPDWQ-13
MOSFET 2N-CH 100V 25A POWERDI50
DMTH10H038SPDWQ-13
Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов
Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
MOSFET 2N-CH 10
-
Масса
6500
1
: $0.4100
: 6500

2500

$0.4100

$1,025.0000

image of Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов>DMTH10H038SPDWQ-13
image of Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов>DMTH10H038SPDWQ-13
DMTH10H038SPDWQ-13
-
Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
MOSFET 2N-CH 10
-
Масса
6500
YES
Параметры продукции 
PDF(1)
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительZetex Semiconductors (Diodes Inc.)
Ряд-
УпаковкаМасса
Статус продуктаACTIVE
Пакет/кейс8-PowerTDFN
Тип монтажаSurface Mount
Конфигурация2 N-Channel
Рабочая Температура-55°C ~ 175°C (TJ)
ТехнологииMOSFET (Metal Oxide)
Мощность - Макс.2.7W (Ta), 39W (Tc)
Напряжение стока к источнику (Vdss)100V
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C25A (Tc)
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds544pF @ 50V
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs33mOhm @ 10A, 10V
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs8nC @ 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id4V @ 250µA
Пакет устройств поставщикаPowerDI5060-8 (Type UXD)
ОценкаAutomotive
КвалификацияAEC-Q101
captcha

+86-15869849588
0