+86-15869849588
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>DMTH10H4M5LPSW
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>DMTH10H4M5LPSW
DMTH10H4M5LPSW
MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI50
DMTH10H4M5LPSW
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
MOSFET BVDSS: 6
-
Лента и катушка (TR)
9000
1
: $0.8200
: 9000

1

$1.9500

$1.9500

10

$1.6200

$16.2000

100

$1.2900

$129.0000

500

$1.0900

$545.0000

1000

$0.9200

$920.0000

2500

$0.8200

$2,050.0000

image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>DMTH10H4M5LPSW
image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>DMTH10H4M5LPSW
DMTH10H4M5LPSW
-
Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
MOSFET BVDSS: 6
-
Лента и катушка (TR)
9000
YES
Параметры продукции 
PDF(1)
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительZetex Semiconductors (Diodes Inc.)
Ряд-
УпаковкаЛента и катушка (TR)
Статус продуктаACTIVE
Пакет/кейс8-PowerTDFN
Тип монтажаSurface Mount, Wettable Flank
Рабочая Температура-55°C ~ 175°C (TJ)
ТехнологииMOSFET (Metal Oxide)
Тип полевого транзистораN-Channel
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C20A (Ta), 107A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs4.9mOhm @ 30A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс.)4.7W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Макс) @ Id2.5V @ 250µA
Пакет устройств поставщикаPowerDI5060-8 (Type UX)
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)4.5V, 10V
ВГС (Макс)±20V
Напряжение стока к источнику (Vdss)100 V
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs80 nC @ 10 V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds4843 pF @ 50 V
captcha

+86-15869849588
0