+86-15869849588
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>DMTH12H007SK3-13
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>DMTH12H007SK3-13
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>DMTH12H007SK3-13
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>DMTH12H007SK3-13
DMTH12H007SK3-13
MOSFET BVDSS: 101V~250V TO252 T&
DMTH12H007SK3-13
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
MOSFET BVDSS: 1
-
Масса
6500
1
: $0.7500
: 6500

2500

$0.7500

$1,875.0000

image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>DMTH12H007SK3-13
image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>DMTH12H007SK3-13
image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>DMTH12H007SK3-13
DMTH12H007SK3-13
-
Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
MOSFET BVDSS: 1
-
Масса
6500
YES
Параметры продукции 
PDF(1)
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительZetex Semiconductors (Diodes Inc.)
Ряд-
УпаковкаМасса
Статус продуктаACTIVE
Пакет/кейсTO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Тип монтажаSurface Mount
Рабочая Температура-55°C ~ 175°C (TJ)
ТехнологииMOSFET (Metal Oxide)
Тип полевого транзистораN-Channel
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C86A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs8.9mOhm @ 30A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс.)2W (Ta)
Vgs(th) (Макс) @ Id4V @ 250µA
Пакет устройств поставщикаTO-252 (DPAK)
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)10V
ВГС (Макс)±20V
Напряжение стока к источнику (Vdss)120 V
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs44 nC @ 10 V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds3142 pF @ 60 V
captcha

+86-15869849588
0