+86-15869849588
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>EPC2022
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>EPC2022
EPC2022
GANFET N-CH 100V 90A DIE
EPC2022
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
EPC
GANFET N-CH 100
-
Лента и катушка (TR)
11111
1
: $8.9700
: 11111

1

$8.9700

$8.9700

10

$7.6900

$76.9000

100

$6.4000

$640.0000

500

$5.6500

$2,825.0000

1000

$5.0900

$5,090.0000

2000

$4.7700

$9,540.0000

image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>EPC2022
image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>EPC2022
EPC2022
-
EPC
GANFET N-CH 100
-
Лента и катушка (TR)
11111
YES
Параметры продукции 
PDF(1)
PDF(2)
PDF(3)
PDF(4)
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительEPC
РядeGaN®
УпаковкаЛента и катушка (TR)
Статус продуктаNOT_FOR_NEW_DESIGNS
Пакет/кейсDie
Тип монтажаSurface Mount
Рабочая Температура-40°C ~ 150°C (TJ)
ТехнологииGaNFET (Gallium Nitride)
Тип полевого транзистораN-Channel
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C90A (Ta)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs3.2mOhm @ 25A, 5V
Vgs(th) (Макс) @ Id2.5V @ 12mA
Пакет устройств поставщикаDie
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)5V
ВГС (Макс)+6V, -4V
Напряжение стока к источнику (Vdss)100 V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds1500 pF @ 50 V
captcha

+86-15869849588
0