+86-15869849588
  • image of Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов>EPC2102
  • image of Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов>EPC2102
EPC2102
GANFET 2N-CH 60V 23A DIE
EPC2102
Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов
EPC
GANFET 2N-CH 60
-
Лента и катушка (TR)
10115
1
: $5.8300
: 10115

1

$9.2500

$9.2500

10

$7.9300

$79.3000

100

$6.6100

$661.0000

500

$5.8300

$2,915.0000

1000

$5.2500

$5,250.0000

image of Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов>EPC2102
image of Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов>EPC2102
EPC2102
-
EPC
GANFET 2N-CH 60
-
Лента и катушка (TR)
10115
YES
Параметры продукции 
PDF(1)
PDF(2)
PDF(3)
PDF(4)
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительEPC
РядeGaN®
УпаковкаЛента и катушка (TR)
Статус продуктаACTIVE
Пакет/кейсDie
Тип монтажаSurface Mount
Конфигурация2 N-Channel (Half Bridge)
Рабочая Температура-40°C ~ 150°C (TJ)
ТехнологииGaNFET (Gallium Nitride)
Напряжение стока к источнику (Vdss)60V
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C23A
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds830pF @ 30V
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs4.4mOhm @ 20A, 5V
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs6.8nC @ 5V
Vgs(th) (Макс) @ Id2.5V @ 7mA
Пакет устройств поставщикаDie
captcha

+86-15869849588
0