1
$0.4100
$0.4100
10
$0.3200
$3.2000
100
$0.1900
$19.0000
500
$0.1800
$90.0000
1000
$0.1200
$120.0000
3000
$0.1100
$330.0000
6000
$0.1100
$660.0000
9000
$0.1000
$900.0000
30000
$0.0900
$2,700.0000
75000
$0.0900
$6,750.0000
| ТИП | ОПИСАНИЕ |
| Производитель | Goford Semiconductor |
| Ряд | TrenchFET® |
| Упаковка | Лента и катушка (TR) |
| Статус продукта | ACTIVE |
| Пакет/кейс | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Тип полевого транзистора | N-Channel |
| Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | 1.7A (Tc) |
| Rds включен (макс.) @ Id, Vgs | 700mOhm @ 1A, 10V |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 1.5W (Tc) |
| Vgs(th) (Макс) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Пакет устройств поставщика | SOT-23-3 |
| Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) | 4.5V, 10V |
| ВГС (Макс) | ±20V |
| Напряжение стока к источнику (Vdss) | 200 V |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 12 nC @ 10 V |
| Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | 580 pF @ 25 V |
