+86-15869849588
  • image of Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов>G06NP06S2
  • image of Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов>G06NP06S2
G06NP06S2
MOSFET N/P-CH 60V 6A 8SOP
G06NP06S2
Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов
Goford Semiconductor
MOSFET N/P-CH 6
-
Лента и катушка (TR)
18460
1
: $0.8300
: 18460

1

$0.8300

$0.8300

10

$0.7200

$7.2000

100

$0.5000

$50.0000

500

$0.4200

$210.0000

1000

$0.3600

$360.0000

2000

$0.3200

$640.0000

4000

$0.3200

$1,280.0000

8000

$0.3000

$2,400.0000

12000

$0.2800

$3,360.0000

28000

$0.2800

$7,840.0000

image of Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов>G06NP06S2
image of Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов>G06NP06S2
G06NP06S2
-
Goford Semiconductor
MOSFET N/P-CH 6
-
Лента и катушка (TR)
18460
YES
Параметры продукции 
PDF(1)
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительGoford Semiconductor
РядTrenchFET®
УпаковкаЛента и катушка (TR)
Статус продуктаACTIVE
Пакет/кейс8-SOP
Тип монтажаSurface Mount
КонфигурацияN and P-Channel
Рабочая Температура-55°C ~ 150°C (TJ)
ТехнологииMOSFET (Metal Oxide)
Мощность - Макс.2W (Tc), 2.5W (Tc)
Напряжение стока к источнику (Vdss)60V
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C6A (Tc)
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds1350pF @ 30V, 2610pF @ 30V
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs35mOhm @ 6A, 10V, 45mOhm @ 5A, 10V
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs22nC @ 10V, 25nC @ 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id2.5V @ 250µA, 3.5V @ 250µA
Пакет устройств поставщика8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
captcha

+86-15869849588
0