+86-15869849588
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>G10N10A
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>G10N10A
G10N10A
N100V,RD(MAX)130MOHM@10V,TO-252
G10N10A
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Goford Semiconductor
N100V,RD(MAX)13
-
Лента и катушка (TR)
11294
1
: $0.5800
: 11294

1

$0.5800

$0.5800

10

$0.4900

$4.9000

100

$0.3400

$34.0000

500

$0.2700

$135.0000

1000

$0.2200

$220.0000

2500

$0.1900

$475.0000

5000

$0.1800

$900.0000

12500

$0.1700

$2,125.0000

25000

$0.1700

$4,250.0000

image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>G10N10A
image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>G10N10A
G10N10A
-
Goford Semiconductor
N100V,RD(MAX)13
-
Лента и катушка (TR)
11294
YES
Параметры продукции 
PDF(1)
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительGoford Semiconductor
РядTrenchFET®
УпаковкаЛента и катушка (TR)
Статус продуктаACTIVE
Пакет/кейсTO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Тип монтажаSurface Mount
Рабочая Температура-55°C ~ 150°C (TJ)
ТехнологииMOSFET (Metal Oxide)
Тип полевого транзистораN-Channel
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C10A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs130mOhm @ 2A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс.)28W (Tc)
Vgs(th) (Макс) @ Id3V @ 250µA
Пакет устройств поставщикаTO-252
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)4.5V, 10V
ВГС (Макс)±20V
Напряжение стока к источнику (Vdss)100 V
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs90 nC @ 10 V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds690 pF @ 25 V
captcha

+86-15869849588
0