+86-15869849588
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>G160N04K
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>G160N04K
G160N04K
N40V, 25A,RD<15M@10V,VTH1.0V~2.0
G160N04K
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Goford Semiconductor
N40V, 25A,RD<15
-
Лента и катушка (TR)
11321
1
: $0.4900
: 11321

1

$0.4900

$0.4900

10

$0.4200

$4.2000

100

$0.2900

$29.0000

500

$0.2300

$115.0000

1000

$0.1800

$180.0000

2500

$0.1600

$400.0000

5000

$0.1600

$800.0000

12500

$0.1400

$1,750.0000

25000

$0.1400

$3,500.0000

62500

$0.1400

$8,750.0000

image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>G160N04K
image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>G160N04K
G160N04K
-
Goford Semiconductor
N40V, 25A,RD<15
-
Лента и катушка (TR)
11321
YES
Параметры продукции 
PDF(1)
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительGoford Semiconductor
РядTrenchFET®
УпаковкаЛента и катушка (TR)
Статус продуктаACTIVE
Пакет/кейсTO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Тип монтажаSurface Mount
Рабочая Температура-55°C ~ 150°C (TJ)
ТехнологииMOSFET (Metal Oxide)
Тип полевого транзистораN-Channel
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C25A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs15mOhm @ 8A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс.)43W (Tc)
Vgs(th) (Макс) @ Id2V @ 250µA
Пакет устройств поставщикаTO-252
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)4.5V, 10V
ВГС (Макс)±20V
Напряжение стока к источнику (Vdss)40 V
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs20 nC @ 10 V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds1010 pF @ 20 V
captcha

+86-15869849588
0