1
$0.8100
$0.8100
10
$0.7100
$7.1000
100
$0.4900
$49.0000
500
$0.4100
$205.0000
1000
$0.3500
$350.0000
2000
$0.3100
$620.0000
5000
$0.2900
$1,450.0000
10000
$0.2700
$2,700.0000
25000
$0.2700
$6,750.0000
| ТИП | ОПИСАНИЕ |
| Производитель | Goford Semiconductor |
| Ряд | - |
| Упаковка | Лента и катушка (TR) |
| Статус продукта | ACTIVE |
| Пакет/кейс | 8-PowerTDFN |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Тип полевого транзистора | P-Channel |
| Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | 48A (Tc) |
| Rds включен (макс.) @ Id, Vgs | 20mOhm @ 10A, 10V |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 105W (Tc) |
| Vgs(th) (Макс) @ Id | 4V @ 250µA |
| Пакет устройств поставщика | 8-DFN (4.9x5.75) |
| Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) | 10V |
| ВГС (Макс) | ±20V |
| Напряжение стока к источнику (Vdss) | 60 V |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 62 nC @ 10 V |
| Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | 5002 pF @ 30 V |
