+86-15869849588
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>G35N02K
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>G35N02K
G35N02K
N20V,RD(MAX)<13M@4.5V,RD(MAX)<18
G35N02K
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Goford Semiconductor
N20V,RD(MAX)<13
-
Лента и катушка (TR)
6717
1
: $0.4300
: 6717

1

$0.4300

$0.4300

10

$0.3700

$3.7000

100

$0.2600

$26.0000

500

$0.2000

$100.0000

1000

$0.1600

$160.0000

2500

$0.1500

$375.0000

5000

$0.1400

$700.0000

12500

$0.1300

$1,625.0000

25000

$0.1300

$3,250.0000

62500

$0.1200

$7,500.0000

image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>G35N02K
image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>G35N02K
G35N02K
-
Goford Semiconductor
N20V,RD(MAX)<13
-
Лента и катушка (TR)
6717
YES
Параметры продукции 
PDF(1)
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительGoford Semiconductor
Ряд-
УпаковкаЛента и катушка (TR)
Статус продуктаACTIVE
Пакет/кейсTO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Тип монтажаSurface Mount
Рабочая Температура-55°C ~ 150°C (TJ)
ТехнологииMOSFET (Metal Oxide)
Тип полевого транзистораN-Channel
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C35A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs13mOhm @ 20A, 4.5V
Рассеиваемая мощность (макс.)40W (Tc)
Vgs(th) (Макс) @ Id1.2V @ 250µA
Пакет устройств поставщикаTO-252
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)2.5V, 4.5V
ВГС (Макс)±12V
Напряжение стока к источнику (Vdss)20 V
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs24 nC @ 4.5 V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds1380 pF @ 10 V
captcha

+86-15869849588
0