1
$0.7200
$0.7200
10
$0.6200
$6.2000
100
$0.4300
$43.0000
500
$0.3600
$180.0000
1000
$0.3100
$310.0000
2500
$0.2700
$675.0000
5000
$0.2600
$1,300.0000
12500
$0.2400
$3,000.0000
25000
$0.2400
$6,000.0000
| ТИП | ОПИСАНИЕ |
| Производитель | Goford Semiconductor |
| Ряд | TrenchFET® |
| Упаковка | Лента и катушка (TR) |
| Статус продукта | ACTIVE |
| Пакет/кейс | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Тип полевого транзистора | N-Channel |
| Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | 60A (Tc) |
| Rds включен (макс.) @ Id, Vgs | 7mOhm @ 30A, 10V |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 65W (Tc) |
| Vgs(th) (Макс) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Пакет устройств поставщика | TO-252 (DPAK) |
| Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) | 4.5V, 10V |
| ВГС (Макс) | ±20V |
| Напряжение стока к источнику (Vdss) | 40 V |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 29 nC @ 10 V |
| Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | 1800 pF @ 20 V |
