1
$0.4000
$0.4000
10
$0.3400
$3.4000
100
$0.2400
$24.0000
500
$0.1800
$90.0000
1000
$0.1500
$150.0000
2000
$0.1300
$260.0000
4000
$0.1300
$520.0000
8000
$0.1300
$1,040.0000
12000
$0.1200
$1,440.0000
28000
$0.1200
$3,360.0000
| ТИП | ОПИСАНИЕ |
| Производитель | Goford Semiconductor |
| Ряд | TrenchFET® |
| Упаковка | Лента и катушка (TR) |
| Статус продукта | ACTIVE |
| Пакет/кейс | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Тип полевого транзистора | P-Channel |
| Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | 9A (Tc) |
| Rds включен (макс.) @ Id, Vgs | 22mOhm @ 3A, 10V |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 2.7W (Tc) |
| Vgs(th) (Макс) @ Id | 2V @ 250µA |
| Пакет устройств поставщика | 8-SOP |
| Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) | 4.5V, 10V |
| ВГС (Макс) | ±20V |
| Напряжение стока к источнику (Vdss) | 30 V |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 24.5 nC @ 10 V |
| Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | 1253 pF @ 15 V |
